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IRF6662TRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF6662TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 8.3A（Ta），47A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MZ
- 规格说明书：
- IRF6662TRPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.3A（Ta），47A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1360 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 标准包装 | 4,800 |
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- 标准包装
- 4,800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥15.678719 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.789029 | ￥27.79 |
| 10+ | ￥24.931795 | ￥249.32 |
| 100+ | ￥20.038439 | ￥2003.84 |
| 500+ | ￥16.463315 | ￥8231.66 |
| 1000+ | ￥15.679341 | ￥15679.34 |
| 4800+ | ￥15.678719 | ￥75257.85 |
