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IRFBE30SPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFBE30SPBF
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- IRFBE30SPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥18.119093 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.991576 | ￥31.99 |
| 10+ | ￥28.751387 | ￥287.51 |
| 100+ | ￥23.555274 | ￥2355.53 |
| 500+ | ￥20.051792 | ￥10025.90 |
| 1000+ | ￥18.119093 | ￥18119.09 |
