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STGP30H60DFB

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制造商编号:
STGP30H60DFB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP30H60DFB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 383µJ(开),293µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 149 nC
25°C 时 Td(开/关)值 37ns/146ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 53 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥19.416972 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥32.364583 ¥32.36
10+ ¥29.046063 ¥290.46
100+ ¥23.799718 ¥2379.97
500+ ¥20.260303 ¥10130.15
1000+ ¥19.416972 ¥19416.97

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