在线客服 
STW58N60DM2AG
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STW58N60DM2AG
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 50A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- STW58N60DM2AG说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4100 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 360W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥110.555021 | ￥110.56 |
| 10+ | ￥99.871114 | ￥998.71 |
| 100+ | ￥82.687724 | ￥8268.77 |
| 500+ | ￥73.903507 | ￥36951.75 |
