您好,欢迎来到壹方微芯!

STGB10M65DF2

ST photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
STGB10M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 650V 10A D2PAK
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 20 A 115 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STGB10M65DF2说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,10A
功率 - 最大值 115 W
开关能量 120µJ(开),270µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 28 nC
25°C 时 Td(开/关)值 19ns/91ns
测试条件 400V,10A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 96 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥12.131434 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1000+ ¥12.131434 ¥12131.43

相关产品