STB80NF03L-04T4
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STB80NF03L-04T4
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- STripFET™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- STB80NF03L-04T4说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | STripFET™ II |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5500 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) |
工作温度 | -60°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | ¥14.21000 | 类似 |
IRL7833STRLPBF | Infineon Technologies | ¥19.66000 | 类似 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | ¥5.16439 | 类似 |
PSMN3R4-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | ¥13.36000 | 类似 |
IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | ¥19.51000 | 类似 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥35.894191 | ¥35.89 |
10+ | ¥32.196486 | ¥321.96 |
100+ | ¥26.379324 | ¥2637.93 |
500+ | ¥22.456291 | ¥11228.15 |
1000+ | ¥21.521742 | ¥21521.74 |