您好,欢迎来到壹方微芯!

IRF9953TRPBF

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IRF9953TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 2.3A 2W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
IRF9953TRPBF说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 250 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 190pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.24354 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.548982 ¥9.55
10+ ¥8.402607 ¥84.03
100+ ¥6.441708 ¥644.17
500+ ¥5.092243 ¥2546.12
1000+ ¥4.24354 ¥4243.54
4000+ ¥4.24354 ¥16974.16

相关产品