SI5935CDC-T1-E3
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- 制造商编号:
- SI5935CDC-T1-E3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 4A 3.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™
- 规格说明书:
- SI5935CDC-T1-E3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 3.1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 455pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥1.890686 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥5.532939 | ¥5.53 |
10+ | ¥4.727243 | ¥47.27 |
100+ | ¥3.529269 | ¥352.93 |
500+ | ¥2.773009 | ¥1386.50 |
1000+ | ¥2.142777 | ¥2142.78 |
3000+ | ¥1.953712 | ¥5861.14 |
6000+ | ¥1.890686 | ¥11344.12 |