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STU9HN65M2

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制造商编号:
STU9HN65M2
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ M2
描述:
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-251(IPAK)
规格说明书:
STU9HN65M2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ M2
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 820 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 325 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251(IPAK)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 75

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型号 品牌 参考价格 说明
FCU850N80Z onsemi ¥19.20000 类似

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标准包装
75 / PCS
包装
管件
单价:¥5.597842 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.650255 ¥11.65
10+ ¥10.379544 ¥103.80
100+ ¥8.093384 ¥809.34
500+ ¥6.685506 ¥3342.75
1000+ ¥5.597842 ¥5597.84

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