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STP120NF10
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STP120NF10
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 110A（Tc） 312W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP120NF10说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ II |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 233 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5200 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 312W（Tc） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥21.27000 | 类似 |
| IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥13.82000 | 类似 |
| FDP120N10 | onsemi | ¥18.74000 | 类似 |
| HUF75542P3 | onsemi | ¥26.88000 | 类似 |
| PSMN013-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥16.51000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 19963
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥22.865907 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.096458 | ￥38.10 |
| 10+ | ￥34.203508 | ￥342.04 |
| 100+ | ￥28.026883 | ￥2802.69 |
| 500+ | ￥23.858952 | ￥11929.48 |
| 1000+ | ￥22.865907 | ￥22865.91 |
