SPP07N65C3HKSA1
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- 制造商编号:
- SPP07N65C3HKSA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
- 规格说明书:
- SPP07N65C3HKSA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 4.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 350µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 790 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 83W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FCP600N60Z | onsemi | ¥14.82000 | 类似 |
STP11NM60 | STMicroelectronics | ¥34.10000 | 类似 |
IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | ¥24.65000 | 类似 |
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- 管件
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