APT25GP90BG
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- 制造商编号:
- APT25GP90BG
- 制造商:
- Microchip微芯
- 系列:
- POWER MOS 7®
- 描述:
- IGBT 900V 72A 417W TO247
- 详细描述:
- IGBT PT 900 V 72 A 417 W 通孔 TO-247 [B]
- 规格说明书:
- APT25GP90BG说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microchip(微芯) |
系列 | POWER MOS 7® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 900 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 72 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 110 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 3.9V @ 15V,25A |
功率 - 最大值 | 417 W |
开关能量 | 370µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 110 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 13ns/55ns |
测试条件 | 600V,25A,5 欧姆,15V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 [B] |
标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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