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IPD082N10N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPD082N10N3GATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
- 规格说明书：
- IPD082N10N3GATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.2 毫欧 @ 73A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3980 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDD86110 | onsemi | ¥22.19000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥13.914694 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥24.630902 | ￥24.63 |
| 10+ | ￥22.124294 | ￥221.24 |
| 100+ | ￥17.782989 | ￥1778.30 |
| 500+ | ￥14.610439 | ￥7305.22 |
| 1000+ | ￥13.914694 | ￥13914.69 |
| 2500+ | ￥13.914694 | ￥34786.74 |
