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NVMFD5875NLT1G

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制造商编号:
NVMFD5875NLT1G
制造商:
ON安森美
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 7A 3.2W 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
规格说明书:
NVMFD5875NLT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 33 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 540pF @ 25V
功率 - 最大值 3.2W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
标准包装 1,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.832808 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.364283 ¥11.36
1+ ¥9.834954 ¥9.83
10+ ¥10.149523 ¥101.50
10+ ¥8.832808 ¥88.33

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