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IXFN200N07
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- 制造商编号：
- IXFN200N07
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 70 V 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
- 规格说明书：
- IXFN200N07说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 70 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 480 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9000 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTN200N10T | IXYS | ¥301.73000 | 类似 |
| IXFN200N10P | IXYS | ¥211.80000 | 类似 |
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- 管件
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