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FCP165N65S3R0

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制造商编号:
FCP165N65S3R0
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® III
描述:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 19A(Tc) 154W(Tc) TO-220-3
规格说明书:
FCP165N65S3R0说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® III
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1500 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 154W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 800

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies ¥55.29000 类似
IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies ¥55.14000 类似
STP25N60M2-EP STMicroelectronics ¥23.27000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
管件
单价:¥19.31003 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
800+ ¥19.31003 ¥15448.02

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