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IPB65R150CFDAATMA1
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- 制造商编号：
- IPB65R150CFDAATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263-3
- 规格说明书：
- IPB65R150CFDAATMA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 9.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 900µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2340 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 195.3W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SIHB21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | ¥40.86000 | 类似 |
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥21.73000 | 类似 |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥32.26000 | 类似 |
| STB28NM60ND | STMicroelectronics | ¥68.04000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥44.803561 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1000+ | ￥44.803561 | ￥44803.56 |
