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STL8DN6LF3

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制造商编号:
STL8DN6LF3
制造商:
ST意法半导体
系列:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 20A 65W 表面贴装型 PowerFlat™(5x6)
规格说明书:
STL8DN6LF3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 668pF @ 25V
功率 - 最大值 65W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerFlat™(5x6)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥18.294753 ¥18.29
10+ ¥16.439061 ¥164.39
100+ ¥13.212915 ¥1321.29
500+ ¥10.85532 ¥5427.66
1000+ ¥9.868509 ¥9868.51
3000+ ¥9.868509 ¥29605.53

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