STGW8M120DF3
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- 制造商编号:
- STGW8M120DF3
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- M
- 描述:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 1200 V 16 A 167 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书:
- STGW8M120DF3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | M |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 16 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 32 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,8A |
功率 - 最大值 | 167 W |
开关能量 | 390µJ(开),370µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 32 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 20ns/126ns |
测试条件 | 600V,8A,33 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 103 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥41.137547 | ¥41.14 |
10+ | ¥36.9668 | ¥369.67 |
100+ | ¥30.290526 | ¥3029.05 |
500+ | ¥25.785845 | ¥12892.92 |
1000+ | ¥24.712644 | ¥24712.64 |