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STGW8M120DF3

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制造商编号:
STGW8M120DF3
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 16 A 167 W 通孔 TO-247-3
规格说明书:
STGW8M120DF3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 32 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,8A
功率 - 最大值 167 W
开关能量 390µJ(开),370µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 32 nC
25°C 时 Td(开/关)值 20ns/126ns
测试条件 600V,8A,33 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 103 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥41.137547 ¥41.14
10+ ¥36.9668 ¥369.67
100+ ¥30.290526 ¥3029.05
500+ ¥25.785845 ¥12892.92
1000+ ¥24.712644 ¥24712.64

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