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APT35GP120JDQ2
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- 制造商编号：
- APT35GP120JDQ2
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 7®
- 描述：
- IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
- 详细描述：
- IGBT 模块 PT 单路 1200 V 64 A 284 W 底座安装 ISOTOP®
- 规格说明书：
- APT35GP120JDQ2说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 配置 | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 64 A |
| 功率 - 最大值 | 284 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 3.9V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 350 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 3.24 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 标准包装 | 1 |
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- 1 / PCS
- 包装
- 管件
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