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TP65H050WS

Transphorm photo

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制造商编号:
TP65H050WS
制造商:
Transphorm
系列:
-
描述:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 34A(Tc) 119W(Tc) TO-247-3
规格说明书:
TP65H050WS说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Transphorm
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1000 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 119W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥112.396215 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥162.805166 ¥162.81
10+ ¥149.605688 ¥1496.06
100+ ¥126.348446 ¥12634.84
500+ ¥112.396215 ¥56198.11

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