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ZXMN2A04DN8TA

Diodes photo

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制造商编号:
ZXMN2A04DN8TA
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 5.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
ZXMN2A04DN8TA说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.1nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1880pF @ 10V
功率 - 最大值 1.8W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.915026 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥20.142383 ¥20.14
10+ ¥18.124415 ¥181.24
100+ ¥14.564933 ¥1456.49
500+ ¥11.966515 ¥5983.26
1000+ ¥9.915026 ¥9915.03

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