RN1903,LF(CT
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- 制造商编号:
- RN1903,LF(CT
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- -
- 描述:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- 详细描述:
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 US6
- 规格说明书:
- RN1903,LF(CT说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 22 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 22 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | US6 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
UMH1NFHATN | Rohm Semiconductor | ¥3.38000 | 类似 |
MUN5212DW1T1G | onsemi | ¥1.84000 | 类似 |
NSVMUN5212DW1T1G | onsemi | ¥3.15000 | 类似 |
PUMD2,115 | Nexperia USA Inc. | ¥2.69000 | 类似 |
UMH11NTN | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥0.303653 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥2.673218 | ¥2.67 |
10+ | ¥2.177118 | ¥21.77 |
100+ | ¥1.153462 | ¥115.35 |
500+ | ¥0.759144 | ¥379.57 |
1000+ | ¥0.516217 | ¥516.22 |
3000+ | ¥0.4656 | ¥1396.80 |
6000+ | ¥0.404874 | ¥2429.24 |
15000+ | ¥0.344149 | ¥5162.23 |
30000+ | ¥0.323894 | ¥9716.82 |
75000+ | ¥0.303653 | ¥22773.98 |