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STGWT80H65FB

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制造商编号:
STGWT80H65FB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 TO-3P
规格说明书:
STGWT80H65FB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,80A
功率 - 最大值 469 W
开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 414 nC
25°C 时 Td(开/关)值 84ns/280ns
测试条件 400V,80A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
STGWA80H65FB STMicroelectronics ¥53.53000 MFR Recommended

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥44.50671 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥60.439584 ¥60.44
10+ ¥54.322267 ¥543.22
100+ ¥44.50671 ¥4450.67

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