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SI2369BDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2369BDS-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 30 V 5.6A（Ta），7.5A（Tc） 1.3W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SI2369BDS-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Ta），7.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +16V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 745 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.901398 | ￥4.90 |
| 10+ | ￥3.939356 | ￥39.39 |
| 100+ | ￥2.680495 | ￥268.05 |
| 500+ | ￥2.010645 | ￥1005.32 |
| 1000+ | ￥1.507978 | ￥1507.98 |
| 3000+ | ￥1.382331 | ￥4146.99 |
| 6000+ | ￥1.29854 | ￥7791.24 |
