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APTGT50H120T3G

Microchip photo

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制造商编号:
APTGT50H120T3G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器 1200 V 75 A 270 W 底座安装 SP3
规格说明书:
APTGT50H120T3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 75 A
功率 - 最大值 270 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 3.6 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商器件封装 SP3
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥1023.79485 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
11+ ¥1023.79485 ¥11261.74

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