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IRFHS8242TRPBF
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- 制造商编号：
- IRFHS8242TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 9.9A（Ta），21A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
- 规格说明书：
- IRFHS8242TRPBF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.9A（Ta），21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 653 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-PowerVDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.349037 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.204351 | ￥6.20 |
| 10+ | ￥5.290484 | ￥52.90 |
| 100+ | ￥3.946539 | ￥394.65 |
| 500+ | ￥3.100733 | ￥1550.37 |
| 1000+ | ￥2.396011 | ￥2396.01 |
| 2000+ | ￥2.349037 | ￥4698.07 |
| 4000+ | ￥2.349037 | ￥9396.15 |
