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IXBH5N160G

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制造商编号:
IXBH5N160G
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
BIMOSFET™
描述:
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
详细描述:
IGBT - 1600 V 5.7 A 68 W 通孔 TO-247AD
规格说明书:
IXBH5N160G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 BIMOSFET™
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(最大值) 1600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5.7 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 7.2V @ 15V,3A
功率 - 最大值 68 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 26 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 960V,3A,47 欧姆,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AD
标准包装 30

价格库存

库存
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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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