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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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制造商编号:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
制造商:
Toshiba东芝
系列:
U-MOSVI
描述:
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
详细描述:
表面贴装型 P 通道 60 V 8A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
规格说明书:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 U-MOSVI
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 104 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +10V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 890 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 27W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK+
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,000

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型号 品牌 参考价格 说明
AOD407 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.22000 类似

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标准包装
2,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.852773 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2000+ ¥4.852773 ¥9705.55

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