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SIRB40DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIRB40DP-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 40A（Tc） 46.2W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
- 规格说明书：
- SIRB40DP-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.25 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4290pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 46.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.869019 | ￥12.87 |
| 10+ | ￥11.502327 | ￥115.02 |
| 100+ | ￥8.969444 | ￥896.94 |
| 500+ | ￥7.409797 | ￥3704.90 |
| 1000+ | ￥5.84991 | ￥5849.91 |
| 3000+ | ￥5.84991 | ￥17549.73 |
