SIRB40DP-T1-GE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/POb7duzQ.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/POb7duzQ.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIRB40DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 40A(Tc) 46.2W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
- 规格说明书:
- SIRB40DP-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.25 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4290pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 46.2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥12.869019 | ¥12.87 |
10+ | ¥11.502327 | ¥115.02 |
100+ | ¥8.969444 | ¥896.94 |
500+ | ¥7.409797 | ¥3704.90 |
1000+ | ¥5.84991 | ¥5849.91 |
3000+ | ¥5.84991 | ¥17549.73 |