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IPL60R199CPAUMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPL60R199CPAUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™
描述:
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
规格说明书:
IPL60R199CPAUMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1520 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 139W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-VSON-4
封装/外壳 4-PowerTSFN
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STL22N65M5 STMicroelectronics ¥26.26000 类似
FCMT199N60 onsemi ¥23.96000 类似

价格库存

库存
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货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥31.553466 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥50.132154 ¥50.13
10+ ¥45.061744 ¥450.62
100+ ¥36.917134 ¥3691.71
500+ ¥31.553466 ¥15776.73
3000+ ¥31.553466 ¥94660.40

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