SI3139KL3-TP



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- 制造商编号:
- SI3139KL3-TP
- 制造商:
- MCC美微科
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 660MA DFN1006-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 660mA(Ta) 100mW DFN1006-3
- 规格说明书:
- SI3139KL3-TP说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | MCC(美微科) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 不适用于新设计 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 500毫欧 @ 150mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 113 pF @ 16 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 100mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DFN1006-3 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
标准包装 | 10,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
大陆:7~10天送达
- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥0.638638 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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10000+ | ¥0.638638 | ¥6386.38 |