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SI3139KL3-TP

MCC photo

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制造商编号:
SI3139KL3-TP
制造商:
MCC美微科
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 20V 660MA DFN1006-3
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 660mA(Ta) 100mW DFN1006-3
规格说明书:
SI3139KL3-TP说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 MCC(美微科)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 660mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500毫欧 @ 150mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 113 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 100mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN1006-3
封装/外壳 SC-101,SOT-883
标准包装 10,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10000+ ¥0.585478 ¥5854.78

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