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IXFA10N80P

IXYS photo

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制造商编号:
IXFA10N80P
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Polar
描述:
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 800 V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
规格说明书:
IXFA10N80P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.1 欧姆 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2050 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263(IXFA)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期

大陆:7~10天送达

标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥22.522641 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥43.728866 ¥43.73
10+ ¥39.311218 ¥393.11
100+ ¥32.207298 ¥3220.73
500+ ¥27.417514 ¥13708.76
1000+ ¥23.123245 ¥23123.24
2000+ ¥22.522641 ¥45045.28

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