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FDG6322C
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- 制造商编号：
- FDG6322C
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 25V 220mA，410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）
- 规格说明书：
- FDG6322C说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA，410mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 220mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-88（SC-70-6） |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| US6M2TR | Rohm Semiconductor | ¥5.45000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.365206 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.960994 | ￥4.96 |
| 10+ | ￥4.02972 | ￥40.30 |
| 100+ | ￥2.746203 | ￥274.62 |
| 500+ | ￥2.059422 | ￥1029.71 |
| 1000+ | ￥1.544672 | ￥1544.67 |
| 3000+ | ￥1.415923 | ￥4247.77 |
| 6000+ | ￥1.365206 | ￥8191.24 |
