BSC0923NDIATMA1
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- 制造商编号:
- BSC0923NDIATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 17A,32A 1W 表面贴装型 PG-TISON-8
- 规格说明书:
- BSC0923NDIATMA1说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A,32A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1160pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TISON-8 |
标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥8.261734 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥16.325277 | ¥16.33 |
10+ | ¥14.619392 | ¥146.19 |
100+ | ¥11.401459 | ¥1140.15 |
500+ | ¥9.418305 | ¥4709.15 |
1000+ | ¥8.261734 | ¥8261.73 |
5000+ | ¥8.261734 | ¥41308.67 |