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BSC0923NDIATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSC0923NDIATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 17A,32A 1W 表面贴装型 PG-TISON-8
规格说明书:
BSC0923NDIATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A,32A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1160pF @ 15V
功率 - 最大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TISON-8
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.261734 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.325277 ¥16.33
10+ ¥14.619392 ¥146.19
100+ ¥11.401459 ¥1140.15
500+ ¥9.418305 ¥4709.15
1000+ ¥8.261734 ¥8261.73
5000+ ¥8.261734 ¥41308.67

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