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FF150R12RT4HOSA1
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- 制造商编号：
- FF150R12RT4HOSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- C
- 描述：
- IGBT MOD 1200V 150A 790W
- 详细描述：
- IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 150 A 790 W 表面贴装型 模块
- 规格说明书：
- FF150R12RT4HOSA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | C |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150 A |
| 功率 - 最大值 | 790 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.15V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1 mA |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 标准包装 | 10 |
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- 标准包装
- 10 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥730.298168 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥730.298168 | ￥730.30 |
