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BSB104N08NP3GXUSA1
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- 制造商编号：
- BSB104N08NP3GXUSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™
- 规格说明书：
- BSB104N08NP3GXUSA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 40µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2100 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M™ |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 标准包装 | 5,000 |
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥9.455345 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 5000+ | ￥9.455345 | ￥47276.72 |
