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SI4462DY-T1-E3

Vishay photo

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制造商编号:
SI4462DY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 1.15A(Ta) 8-SOIC
规格说明书:
SI4462DY-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.15A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 480 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9 nC @ 10 V
FET 功能 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
SI4464DY-T1-GE3 Vishay Siliconix ¥10.21000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
剪切带(CT)
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