HGTD3N60C3S9A
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- 制造商编号:
- HGTD3N60C3S9A
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT 600V 6A 33W TO252AA
- 详细描述:
- IGBT - 600 V 6 A 33 W 表面贴装型 TO-252AA
- 规格说明书:
- HGTD3N60C3S9A说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 24 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,3A |
功率 - 最大值 | 33 W |
开关能量 | 85µJ(开),245µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 10.8 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | - |
测试条件 | 480V,3A,82 欧姆,15V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252AA |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | ¥8.68000 | 类似 |
SGD02N60BUMA1 | Infineon Technologies | ¥6.35107 | 类似 |
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | ¥8.29000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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