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STGW80V60DF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGW80V60DF
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 600V 120A 469W TO247
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 600 V 120 A 469 W 通孔 TO-247
- 规格说明书：
- STGW80V60DF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.3V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值 | 469 W |
| 开关能量 | 1.8mJ（开），1mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 448 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 60ns/220ns |
| 测试条件 | 400V，80A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 60 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥43.01000 | 类似 |
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
| FGH60N60SFDTU | onsemi | ¥50.38000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥49.738756 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥71.704398 | ￥71.70 |
| 10+ | ￥64.777656 | ￥647.78 |
| 25+ | ￥61.760029 | ￥1544.00 |
| 100+ | ￥53.626609 | ￥5362.66 |
| 250+ | ￥51.216859 | ￥12804.21 |
| 500+ | ￥49.738756 | ￥24869.38 |
