STGW80V60DF
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STGW80V60DF
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT 600V 120A 469W TO247
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 600 V 120 A 469 W 通孔 TO-247
- 规格说明书:
- STGW80V60DF说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 120 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,80A |
功率 - 最大值 | 469 W |
开关能量 | 1.8mJ(开),1mJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 448 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 60ns/220ns |
测试条件 | 400V,80A,5 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 60 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | TO-247 |
标准包装 | 30 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥43.01000 | 类似 |
NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
FGH60N60SFDTU | onsemi | ¥50.38000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥65.735726 | ¥65.74 |
10+ | ¥59.385566 | ¥593.86 |
25+ | ¥56.619126 | ¥1415.48 |
100+ | ¥49.162732 | ¥4916.27 |
250+ | ¥46.953569 | ¥11738.39 |
500+ | ¥45.598503 | ¥22799.25 |