DF11MR12W1M1B11BPSA1
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- 制造商编号:
- DF11MR12W1M1B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolSiC™+
- 描述:
- MOSFET MOD 1200V 50A
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 50A(Tj) 20mW 底座安装 AG-EASY1BM-2
- 规格说明书:
- DF11MR12W1M1B11BPSA1说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolSiC™+ |
包装 | 托盘 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 碳化硅(SiC) |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tj) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 22.5 毫欧 @ 50A,15V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.55V @ 20mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 124nC @ 15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3680pF @ 800V |
功率 - 最大值 | 20mW |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 |
供应商器件封装 | AG-EASY1BM-2 |
标准包装 | 24 |
价格库存
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- 标准包装
- 24 / PCS
- 包装
- 托盘
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥1205.743908 | ¥1205.74 |