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BZT52C30-G RHG

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
BZT52C30-G RHG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 30V 350MW SOD123
详细描述:
二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
规格说明书:
BZT52C30-G RHG说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 30 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 350 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123
供应商器件封装 SOD-123
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.453763 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
6000+ ¥0.453763 ¥2722.58

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