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STD110N8F6

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制造商编号:
STD110N8F6
制造商:
ST意法半导体
系列:
STripFET™ F6
描述:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 80 V 80A(Tc) 167W(Tc) DPAK
规格说明书:
STD110N8F6说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 STripFET™ F6
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 150 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9130 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 167W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.394321 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.382131 ¥17.38
10+ ¥15.650135 ¥156.50
100+ ¥12.577302 ¥1257.73
500+ ¥10.333814 ¥5166.91
1000+ ¥9.394333 ¥9394.33
2500+ ¥9.394321 ¥23485.80

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