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APTGV15H120T3G
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- 制造商编号：
- APTGV15H120T3G
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MODULE 1200V 25A 115W SP3
- 详细描述：
- IGBT 模块 NPT，沟槽型场截止 全桥反相器 1200 V 25 A 115 W 底座安装 SP3
- 规格说明书：
- APTGV15H120T3G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | NPT，沟槽型场截止 |
| 配置 | 全桥反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25 A |
| 功率 - 最大值 | 115 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 250 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 1.1 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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