您好,欢迎来到壹方微芯!

SIR104DP-T1-RE3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SIR104DP-T1-RE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET® Gen IV
描述:
MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 18.3A(Ta),79A(Tc) 5.4W(Ta),100W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SIR104DP-T1-RE3说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET® Gen IV
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18.3A(Ta),79A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.4 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 84 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4230 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5.4W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥12.656591 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥24.916874 ¥24.92
10+ ¥22.363019 ¥223.63
100+ ¥17.971979 ¥1797.20
500+ ¥14.766083 ¥7383.04
1000+ ¥12.656529 ¥12656.53
3000+ ¥12.656591 ¥37969.77

相关产品