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VMO580-02F
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- 制造商编号：
- VMO580-02F
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 200 V 580A（Tc） - Y3-Li
- 规格说明书：
- VMO580-02F说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 580A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 430A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2750 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 标准包装 | 2 |
价格库存
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- 标准包装
- 2 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥1611.900448 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1617.520422 | ￥1617.52 |
| 10+ | ￥1611.900448 | ￥16119.00 |
