您好,欢迎来到壹方微芯!

SI7884BDP-T1-E3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SI7884BDP-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 40 V 58A(Tc) 4.6W(Ta),46W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SI7884BDP-T1-E3说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 77 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3540 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 4.6W(Ta),46W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥16.543511 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥29.21889 ¥29.22
10+ ¥26.249753 ¥262.50
100+ ¥21.506097 ¥2150.61
500+ ¥18.308158 ¥9154.08
1000+ ¥16.543511 ¥16543.51
3000+ ¥16.543511 ¥49630.53

相关产品