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RQ3E100ATTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RQ3E100ATTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 30 V 10A（Ta），31A（Tc） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
- 规格说明书：
- RQ3E100ATTB说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.4mOhm @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.136704 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.591597 | ￥8.59 |
| 10+ | ￥7.590694 | ￥75.91 |
| 100+ | ￥5.819781 | ￥581.98 |
| 500+ | ￥4.600496 | ￥2300.25 |
| 1000+ | ￥3.680386 | ￥3680.39 |
| 3000+ | ￥3.335367 | ￥10006.10 |
| 6000+ | ￥3.136704 | ￥18820.22 |
