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A2G35S160-01SR3

NXP photo

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制造商编号:
A2G35S160-01SR3
制造商:
NXP恩智浦
系列:
-
描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 48 V 190 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.7dB 51dBm NI-400S-2S
规格说明书:
A2G35S160-01SR3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 NXP(恩智浦)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 LDMOS
频率 3.4GHz ~ 3.6GHz
增益 15.7dB
电压 - 测试 48 V
额定电流(安培) -
噪声系数 -
电流 - 测试 190 mA
功率 - 输出 51dBm
电压 - 额定 125 V
封装/外壳 NI-400S-2S
供应商器件封装 NI-400S-2S
标准包装 250

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
VRF141 Microchip Technology ¥537.88000 类似
BLP9G0722-20Z Ampleon USA Inc. ¥137.54000 类似
CGH55015F2 Wolfspeed, Inc. ¥670.74000 类似
BLF573,112 Ampleon USA Inc. ¥877.78000 类似
BLS9G2735LS-50U Ampleon USA Inc. ¥734.71000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥2182.8319 ¥2182.83
250+ ¥1460.51771 ¥365129.43

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