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DN3765K4-G

Microchip photo

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制造商编号:
DN3765K4-G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 300mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252-3
规格说明书:
DN3765K4-G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 欧姆 @ 150mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 825 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥24.893213 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥32.750023 ¥32.75
25+ ¥27.416022 ¥685.40
100+ ¥24.893126 ¥2489.31
2000+ ¥24.893213 ¥49786.43

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